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STP110N8F6 /MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
STP110N8F6的规格信息
STP110N8F6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:110 A

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:150 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:200 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

高度:15.75 mm

长度:10.4 mm

系列:STP110N8F6

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:48 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:61 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:162 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:330 mg

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STP110N8F6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
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STP110N8F6ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道1+:¥2.73
10+:¥2.12
30+:¥2.01
100+:¥1.9
500+:¥1.85
1000+:¥1.82