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STP10N60M2 /MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STP10N60M2的规格信息
STP10N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:7.5 A

Rds On-漏源导通电阻:560 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:13.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:85 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STP10N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:13.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32.5 ns

典型接通延迟时间:8.8 ns

单位重量:330 mg

供应商STP10N60M2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STP10N60M2www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STP10N60M2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市仓实科技有限公司STP10N60M2深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STP10N60M2深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市赛美科科技有限公司STP10N60M2广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市大源实业科技有限公司STP10N60M2深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市捷芯微科技有限公司STP10N60M2深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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芯莱德电子(香港)有限公司STP10N60M2深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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STP10N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh II1+:¥12.36
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STP10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7.5A TO220$1.46000
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STP10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M21:¥12.2153
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Verical
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