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STP100N6F7 /MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
STP100N6F7的规格信息
STP100N6F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Tube

系列:STP100N6F7

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:55.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28.6 ns

典型接通延迟时间:21.6 ns

单位重量:330 mg

供应商STP100N6F7
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现代芯城(深圳)科技有限公司STP100N6F7www.nowchip.com0755-27381274
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STP100N6F7连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO493.66 Kbytes共13页STP100N6F7的PDF下载地址
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STP100N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package1:¥13.221
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500:¥7.8422
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STP100N6F7ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.038
10+:¥3.012
30+:¥2.826
100+:¥2.64
500+:¥2.556
1000+:¥2.514