STP100N6F7
/MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
STP100N6F7的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:30 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:STripFET
封装:Tube
系列:STP100N6F7
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
商标:STMicroelectronics
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:55.5 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:28.6 ns
典型接通延迟时间:21.6 ns
单位重量:330 mg
STP100N6F7
STP100N6F7的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | STP100N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package | 1:¥13.221 10:¥11.2209 100:¥8.9948 500:¥7.8422
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 立创商城 | STP100N6F7 | ST(意法半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥4.038 10+:¥3.012 30+:¥2.826 100+:¥2.64 500+:¥2.556 1000+:¥2.514
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