制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT5x6-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:33 A

Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms, 23 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:8 nC, 8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:58 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

系列:STL36DN6F7

晶体管类型:2 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:3.95 ns, 3.95 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.25 ns, 3.25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.1 ns, 12.1 ns

典型接通延迟时间:7.85 ns, 7.85 ns