包装标准卷带
系列-
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）25 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）7.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）800pF @ 50V
FET 功能-
功率耗散（最大值）50W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerFlat™（3.3x3.3）
封装/外壳8-PowerVDFN