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STL26NM60N /MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
STL26NM60N的规格信息
STL26NM60N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-8x8-HV-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:19 A

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:60 nC

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL26NM60N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:50 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

单位重量:30 g

供应商STL26NM60N
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盛信伟业(深圳)科技有限公司STL26NM60N深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
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深圳市辉华拓展电子有限公司STL26NM60N深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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芯莱德电子(香港)有限公司STL26NM60N深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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