系列：MDmesh™ II Plus

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1060pF @ 100V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：210 毫欧 @ 9A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-PowerFlat™ HV

封装形式Package：Power

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：600V

连续漏极电流ID：18A

RoHS：符合 RoHS

125 W：Pd - 功率消耗

安装风格：SMD/SMT

品牌：STMicroelectronics

下降时间：15 ns

上升时间：9 ns

标准包装数量：3000

标准断开延迟时间：60 ns

晶体管极性：N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：600 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：25 V

Id - C连续漏极电流：18 A

Rds On - 漏-源电阻：186 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：3 V

29 nC：Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs