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STL25N60M2-EP /MOSFET N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
STL25N60M2-EP的规格信息
STL25N60M2-EP的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-8x8-HV-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:206 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:8 mm

产品:Power MOSFET

系列:STL25N60M2-EP

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel Power MOSFET

宽度:8 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:16 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:61 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商STL25N60M2-EP
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盛信伟业（深圳）科技有限公司STL25N60M2-EP深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
19926488141		赵伟滨Email:SalesDirector@weiyeic.com询价
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Mouser 贸泽电子		STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package1:¥24.3628
10:¥20.6677
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
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