110 W：Pd - 功率消耗

36 nC：Qg - 闸极充电

品牌：STMicroelectronics

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：Reel

晶体管极性：N-Channel

最低工作温度：- 55 C

最高工作温度：+ 150 C

标准包装数量：3000

系列：STL22N65M5

Id - C连续漏极电流：15 A

Rds On - 漏-源电阻：210 m0hms

RoHS：符合 RoHS

Vds - 漏-源击穿电压：650 V

Vgs th - 门源门限电压：4 V

上升时间：7.5 ns

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1345pF @ 100V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），110W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：210 毫欧 @ 8.5A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerFlat™（8x8） HV

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs