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STL23NM60ND /MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
STL23NM60ND的规格信息
STL23NM60ND的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-8x8-HV-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:19.5 A

Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:70 nC

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL23NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:40 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

单位重量:15 g

供应商STL23NM60ND
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深圳市芯幂科技有限公司STL23NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市辉华拓展电子有限公司STL23NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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Mouser 贸泽电子		STL23NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品1+:￥63.78
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