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STL19N65M5 /MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshM5
STL19N65M5的规格信息
STL19N65M5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-8x8-HV-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:710 V

Id-连续漏极电流:12.5 A

Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:90 W

配置:Triple

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL19N65M5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:36 ns

供应商STL19N65M5
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深圳市捷芯微科技有限公司STL19N65M5深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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陈欣Email:jxwic888@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STL19N65M5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市辉华拓展电子有限公司STL19N65M5深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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文小姐,米小姐,朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
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Arrow(艾睿)
STL19N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshV1+:¥39.71
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STL19N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshV1+:¥39.71
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STL19N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshM51:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
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Verical
STL19N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshV1+:¥39.71
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25+:¥25.51
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250+:¥22.11
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1000+:¥20.09