图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:20 A
Rds On-漏源导通电阻:5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:25 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:78 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:STripFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:0.8 mm
长度:3.3 mm
系列:STL20N6F7
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:3.3 mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:7.8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:17.6 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:24.4 ns
典型接通延迟时间:15 ns
单位重量:28 mg