其它有关文件:STL18NM60N View All Specifications
特色产品:ST - PowerFLAT? 8x8 HV
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:MDmesh? II
包装:带卷(TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A(Ta),12A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):310 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 50V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-PowerFlat? HV
供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV
其它名称:497-11847-2