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STI6N95K5 /MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power
STI6N95K5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:950 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:STI6N95K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

单位重量:1.800 g

供应商STI6N95K5
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深圳市辉华拓展电子有限公司STI6N95K5深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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STI6N95K5连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):950V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.25Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO544.21 Kbytes共12页STI6N95K5的PDF下载地址
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STI6N95K5STMicroelectronicsNCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET$1.86000
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STI6N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
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STI6N95K5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):950V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.25Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.92
10+:¥5.07
30+:¥4.73
100+:¥4.39
500+:¥4.24
1000+:¥4.17