系列：SuperMESH5™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：255pF @ 100V

Vgs（最大值）：30V

功率耗散（最大值）：85W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.6 欧姆 @ 2A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

封装形式Package：I2PAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：800V

连续漏极电流ID：4.5A

Ciss - 输入电容：255 pF

Id - C连续漏极电流：4.5 A

品牌：STMicroelectronics

安装风格：Through Hole

晶体管极性：N-Channel

最低工作温度：- 55 C

最高工作温度：+ 150 C

通道模式：Enhancement

配置：Single

Pd - 功率消耗：110 W

Qg - 闸极充电：7.5 nC

Rds On - 漏-源电阻：1.6 0hms

Vds - 漏-源击穿电压：800 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：± 30 V

Vgs th - 门源门限电压：4 V

无铅情况/RoHs：否