功率耗散（最大值）：190W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 14A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3 整包，I²Pak

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：62.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 100V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

Vgs（最大值）：±25V

供应商器件封装：I2PAKFP（TO-281）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs