FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：620V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：34nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：875pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：50V
功率耗散（最大值）：90W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：I2PAK
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs