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STGF10NB60SD /IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
STGF10NB60SD的规格信息
STGF10NB60SD的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220-3 FP

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.8 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:20 A

Pd-功率耗散:25 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:STGF10NB60SD

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:20 A

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

集电极连续电流:10 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:IGBTs

单位重量:2.300 g

供应商STGF10NB60SD
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STGF10NB60SDSTMicroelectronicsIGBT 600V 23A 25W TO220FP$1.71000
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Mouser 贸泽电子		STGF10NB60SDSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
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