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STGD8NC60KDT4 /STMicroelectronics/分立半导体产品
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特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:PowerMESH??

包装:带卷(TR)

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.75V @ 15V,3A

功率 - 最大值:62W

开关能量:55µJ(开),85µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:19nC

25°C 时 Td(开/关)值:17ns/72ns

测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):23.5ns

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D-Pak

其它名称:497-7988-2STGD8NC60KDT4-ND

供应商STGD8NC60KDT4
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STGD8NC60KDT4IGBT 600V 15A 62W DPAKSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO555.18 Kbytes共18页STGD8NC60KDT4的PDF下载地址
STGD8NC60KDT4栅极阈值电压-VGE(th):6.9V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.75V @ 15V,3A 集电极电流(Ic)(最大值):15A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO555.18 Kbytes共18页STGD8NC60KDT4的PDF下载地址
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STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET1:¥9.605
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STGD8NC60KDT4ST(意法半导体)栅极阈值电压-VGE(th):6.9V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.75V @ 15V,3A 集电极电流(Ic)(最大值):15A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-1+:¥12.36
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