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STGD19N40LZ /IGBT 晶体管 Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
STGD19N40LZ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:DPAK-3

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:390 V

集电极—射极饱和电压:1.35 V

栅极/发射极最大电压:16 V

Pd-功率耗散:125 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGD19N40LZ

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极最大连续电流 Ic:25 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:625 uA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:IGBTs

单位重量:350 mg

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