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STGD5H60DF /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
STGD5H60DF的规格信息
STGD5H60DF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:DPAK-3

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:10 A

Pd-功率耗散:83 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGD5H60DF

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极最大连续电流 Ic:10 A

商标:STMicroelectronics

集电极连续电流:5 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:IGBTs

供应商STGD5H60DF
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现代芯城（深圳）科技有限公司STGD5H60DFwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司STGD5H60DF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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Mouser 贸泽电子		STGD5H60DFSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
2,500:¥3.0623
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