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STGD7NB60ST4 /IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
STGD7NB60ST4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-252-3

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:15 A

Pd-功率耗散:55 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:STGD7NB60S

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极最大连续电流 Ic:15 A

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

集电极连续电流:7 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:IGBTs

商标名:PowerMESH

单位重量:4 g

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STGD7NB60ST4STMicroelectronicsIGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp1:¥11.3678
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100:¥7.4693
500:¥6.5992
2,500:¥4.6217
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