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STGB10H60DF /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGB10H60DF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.95V @ 15V,10A

功率 - 最大值:115W

开关能量:83µJ(开),140µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:57nC

25°C 时 Td(开/关)值:19.5ns/103ns

测试条件:400V,10A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):107ns

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

其它名称:497-14975-2

供应商STGB10H60DF
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STGB10H60DFSTMicroelectronics1+:¥17.53
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10+:¥11.3501
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500+:¥9.0299
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