系列:SuperMESH3™
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1050pF @ 100V
Vgs(最大值):±30V
功率耗散(最大值):63W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.4 欧姆 @ 2.5A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3 整包
封装形式Package:TO-220FP
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:1200V
连续漏极电流ID:6A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs