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STFW6N120K3 /N-Channel 1200 V 2.4 O 39 nC SuperMESH3TM Power Mosfet - TO-3PF
STFW6N120K3的规格信息
STFW6N120K3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:SuperMESH3™

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):34nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1050pF @ 100V

Vgs(最大值):±30V

功率耗散(最大值):63W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.4 欧姆 @ 2.5A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-3P-3 整包

封装形式Package:TO-220FP

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:1200V

连续漏极电流ID:6A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商STFW6N120K3
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深圳市威雅利发展有限公司STFW6N120K3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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深圳市芯幂科技有限公司STFW6N120K3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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STFW6N120K3MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATTSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO792.64 Kbytes共17页STFW6N120K3的PDF下载地址
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STFW6N120K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH31+:¥52.01
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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