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STFW3N170 /MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
STFW3N170的规格信息
STFW3N170的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PF-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:44 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerMESH

封装:Tube

系列:STFW3N170

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:53 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:300

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:51 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:5.500 g

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STFW3N170连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):1700V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:13Ω @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO696.59 Kbytes共12页STFW3N170的PDF下载地址
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STFW3N170STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package1:¥33.0412
10:¥28.0466
100:¥24.2837
250:¥23.052
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STFW3N170ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):1700V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:13Ω @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道1+:¥40.94
10+:¥35.31
30+:¥34.27
100+:¥33.24
500+:¥32.78
1000+:¥32.21