STFW3N170
/MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
STFW3N170的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-3PF-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV
Id-连续漏极电流:2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:44 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:63 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:PowerMESH
封装:Tube
系列:STFW3N170
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:53 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:300
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:51 ns
典型接通延迟时间:25 ns
单位重量:5.500 g
STFW3N170