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STFW1N105K3 /MOSFET N-Ch 1050V 8 Ohm 1.4 A SuperMESH3(TM)
STFW1N105K3的规格信息
STFW1N105K3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PF-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.05 kV

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:13 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:20 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

系列:STFW1N105K3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:300

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:6 ns

单位重量:7 g

供应商STFW1N105K3
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深圳市坤融电子有限公司STFW1N105K3航都大厦10I0755-23990975
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