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STFU28N65M2 /STFU28N65M2 Series 650 V 0.18 Ohm N-Channel MDmesh™ M2 Power MOSFET - TO-220FP
STFU28N65M2的规格信息
STFU28N65M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:MDmesh™ M2

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):35nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1440pF @ 100V

Vgs(最大值):±25V

功率耗散(最大值):30W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):180 毫欧 @ 10A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

封装形式Package:TO-220FP

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:650V

连续漏极电流ID:20A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商STFU28N65M2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STFU28N65M2www.nowchip.com0755-27381274
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STFU28N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A TO220FP$3.08000
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STFU28N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.5886