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STFW3N150 /MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
STFW3N150的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PF-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:9 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:29.3 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerMESH

封装:Tube

系列:STFW3N150

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.6 S

下降时间:61 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:47 ns

工厂包装数量:300

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:7 g

供应商STFW3N150
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深圳市骏凯诚科技有限公司STFW3N150深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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文小姐,米小姐,朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
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Arrow(艾睿)
STFW3N150STMicroelectronicsFET - 单 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH1+:¥57.31
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
STFW3N150STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT$4.02000
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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STFW3N150ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):1500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:9Ω @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W 类型:N沟道1+:¥10.05
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