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STFI13N60M2 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STFI13N60M2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:STMicroelectronics - Mdmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:MDmesh? II Plus

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):580pF @ 100V

功率 - 最大值:25W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

供应商器件封装:I2PAKFP

其它名称:497-13950-5STFI13N60M2-ND

供应商STFI13N60M2
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