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STFI13N60M2 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STFI13N60M2的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

特色产品：STMicroelectronics - Mdmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MDmesh? II Plus

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：580pF @ 100V

功率 - 最大值：25W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I2PAKFP

其它名称：497-13950-5STFI13N60M2-ND

供应商STFI13N60M2
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