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STF8N80K5 /MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
STF8N80K5的规格信息
STF8N80K5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:950 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:16.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF8N80K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:330 mg

供应商STF8N80K5
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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STF8N80K5及相关型号的PDF资料
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STF8N80K5MOSFET N-CH 800V 6A TO220FPSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO1.10 Mbytes共15页STF8N80K5的PDF下载地址无
STF8N80K5连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 100uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.10 Mbytes共15页STF8N80K5的PDF下载地址无
STF8N80K5的全球分销商及价格
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		STF8N80K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6ASuperMESH 51+:￥18.33
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25000+:￥7.451000+:￥11.0101
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STF8N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A TO220FP$2.11000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STF8N80K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6ASuperMESH 51+:￥18.33
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		STF8N80K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6ASuperMESH 51+:￥18.33
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STF8N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K51:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
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立创商城		STF8N80K5ST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 100uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道1+:￥10.76
10+:￥8.07
30+:￥7.58
100+:￥7.08
500+:￥6.86
1000+:￥6.75
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