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STF10N80K5 /MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF10N80K5的规格信息
STF10N80K5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:470 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF10N80K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:14.5 ns

单位重量:330 mg

供应商STF10N80K5
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