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STD6N60DM2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD6N60DM2的规格信息
STD6N60DM2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STD6N60DM2

晶体管类型:1 N Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:19.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:9.2 ns

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现代芯城（深圳）科技有限公司STD6N60DM2www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD6N60DM2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三崧电子有限公司STD6N60DM2上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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盛信伟业（深圳）科技有限公司STD6N60DM2深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
19926488141		赵伟滨Email:SalesDirector@weiyeic.com询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司STD6N60DM2华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市辉华拓展电子有限公司STD6N60DM2深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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Mouser 贸泽电子		STD6N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package1:¥8.2942
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