其它有关文件：STD60N3LH5 View All Specifications
标准包装：2,500
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：STripFET?? V
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：48A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：8.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1350pF @ 25V
功率 - 最大值：60W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
其它名称：497-7971-2STD60N3LH5-ND