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STD60N55F3 /MOSFET N Ch 55V 6.5mohm 80A
STD60N55F3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:8.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

系列:STD60N55F3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:11.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:50 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:4 g

供应商STD60N55F3
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现代芯城（深圳）科技有限公司STD60N55F3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司STD60N55F3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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现代芯城（深圳）科技有限公司STD60N55F3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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