制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:8.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:33.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

系列:STD65N55F3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:50 S

下降时间:11.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:50 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:4 g