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STD60NF55LAT4 /MOSFET N-channel 55 V, 0.012 Ohm, 60 A DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:15 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

系列:STD60NF55LA

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:180 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:350 mg

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