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STD4NK100Z /MOSFET Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.6 Ohm typ., 2.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package
STD4NK100Z的规格信息
STD4NK100Z的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:2.2 A

Rds On-漏源导通电阻:6.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:18 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:90 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:SuperMESH

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:10.1 mm

产品:Power MOSFET

系列:STD4NK100Z

晶体管类型:1 N-Channel

类型:SuperMESH

宽度:6.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:39 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:4 g

供应商STD4NK100Z
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Mouser 贸泽电子		STD4NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.6 Ohm typ., 2.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
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2,500:¥11.30
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