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产品培训模块：Automotive Grade Transistors and Discretes

特色产品：STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：DeepGATE?，STripFET? VI

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：44A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1190pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

其它名称：497-11098-2