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STD4N62K3 /MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
STD4N62K3的规格信息
STD4N62K3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:620 V

Id-连续漏极电流:3.8 A

Rds On-漏源导通电阻:1.95 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:3 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:70 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STD4N62K3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:SuperMesh3 Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

单位重量:4 g

供应商STD4N62K3
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现代芯城（深圳）科技有限公司STD4N62K3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD4N62K3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司STD4N62K3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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