系列：SuperMESH™
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：620pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：70W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：4 欧姆 @ 1.4A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package：DPAK
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：500V
连续漏极电流ID：2.8A
无铅情况/RoHs：否