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STD4LN80K5 /MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:2.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:3.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:STD4LN80K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:31 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:340 mg

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