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STD3NK60ZT4 /N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252
STD3NK60ZT4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:SuperMESH™

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.4A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11.8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):311pF @ 25V

Vgs(最大值):±30V

功率耗散(最大值):45W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):3.6 欧姆 @ 1.2A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

封装形式Package:DPAK

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:600V

连续漏极电流ID:2.4A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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STD3NK60ZT4STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH2500+:¥2.65011+:¥3.94
10+:¥3.53
25+:¥3.112500+:¥1.492500+:¥1.751+:¥2.59
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STD3NK60ZT4STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH2500+:¥2.65011+:¥3.94
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STD3NK60ZT4STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH2500+:¥2.65011+:¥3.94
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STD3NK60ZT4ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:3.6Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.82
10+:¥2.106
30+:¥1.98
100+:¥1.848
500+:¥1.788
1000+:¥1.758