图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:36 A
Rds On-漏源导通电阻:17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:22 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:60 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:STripFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.4 mm
长度:6.6 mm
系列:STD36P4LLF6
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:6.2 mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:19 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:47 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:148 ns
典型接通延迟时间:43 ns
单位重量:4 g