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STD36P4LLF6 /MOSFET P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package
STD36P4LLF6的规格信息
STD36P4LLF6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:36 A

Rds On-漏源导通电阻:17.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

系列:STD36P4LLF6

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:47 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:148 ns

典型接通延迟时间:43 ns

单位重量:4 g

供应商STD36P4LLF6
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD36P4LLF6www.nowchip.com0755-27381274
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STD36P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 40V 36A DPAK$1.16000
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Mouser 贸泽电子
STD36P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
2,500:¥3.277
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STD36P4LLF6ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20.5mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:P沟道1+:¥6.23
10+:¥6.07
30+:¥5.97
100+:¥5.84