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STD3N62K3 /MOSFET N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
STD3N62K3的规格信息
STD3N62K3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:620 V

Id-连续漏极电流:2.7 A

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:13 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

系列:STD3N62K3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:15.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:4 g

供应商STD3N62K3
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD3N62K3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD3N62K3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STD3N62K3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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