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STD35P6LLF6 /MOSFET P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
STD35P6LLF6的规格信息
STD35P6LLF6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:70 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STD35P6LLF6

晶体管类型:1 P-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:39 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:171 ns

典型接通延迟时间:51.4 ns

单位重量:4 g

供应商STD35P6LLF6
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD35P6LLF6www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD35P6LLF6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司STD35P6LLF6-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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STD35P6LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
2,500:¥3.4804
10,000:查看
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STD35P6LLF6ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:P沟道1+:¥4.97
10+:¥3.76
30+:¥3.54
100+:¥3.32
500+:¥3.22
1000+:¥3.17
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STD35P6LLF6VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥2.02
10+:¥1.49
30+:¥1.39
100+:¥1.3
500+:¥1.25
1000+:¥1.23