系列：DeepGATE™，STripFET™ VII

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：32A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1270pF @ 50V

Vgs（最大值）：20V

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：24 毫欧 @ 16A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：DPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：100V

连续漏极电流ID：32A

RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 175 C

50 W：Pd - 功率消耗

安装风格：SMD/SMT

品牌：STMicroelectronics

下降时间：5.6 ns

最低工作温度：- 55 C

上升时间：17.5 ns

晶体管极性：N-Channel

标准包装数量：2500

标准断开延迟时间：22 ns

Vds - 漏-源击穿电压：100 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：20 V

Id - C连续漏极电流：32 A

Rds On - 漏-源电阻：24 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：4.5 V

19 nC：Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs