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STD2N95K5 /MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
STD2N95K5的规格信息
STD2N95K5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:950 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:4.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:10 nC

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

商标名:SuperMESH

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STD2N95K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:32.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20.5 ns

典型接通延迟时间:8.5 ns

单位重量:4 g

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STD2N95K5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):950V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.72
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