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STD26NF10 /MOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
STD26NF10的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:25 A

Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

系列:STD26NF10

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:17 ns

单位重量:4 g

供应商STD26NF10
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD26NF10www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD26NF10深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STD26NF10T4深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
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深圳市佳威星科技有限公司STD26NF10深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市辉华拓展电子有限公司STD26NF10深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市百域芯科技有限公司STD26NF10世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市辉华拓展电子有限公司STD26NF10深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市宇浩扬科技有限公司STD26NF10深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市深宇芯科技有限公司STD26NF10华强北中航路都会电子城B座26B82764291
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STD26NF10STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A2500+:¥5.05
5000+:¥4.87
7500+:¥4.68991+:¥9.19
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STD26NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 25A DPAK$1.33000
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STD26NF10STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A2500+:¥5.05
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Mouser 贸泽电子
STD26NF10STMicroelectronicsMOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
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Mouser 贸泽电子
STD26NF10STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A2500+:¥5.05
5000+:¥4.87
7500+:¥4.68991+:¥9.19
10+:¥7.48
100+:¥5.97
500+:¥5.97
1000+:¥5.55
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立创商城
STD26NF10ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:38mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.128
10+:¥3.824
30+:¥3.584
100+:¥3.352
500+:¥3.24
1000+:¥3.192
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STD26NF10T4VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥2.29
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