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STD26P3LLH6 /MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
STD26P3LLH6的规格信息
STD26P3LLH6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:26 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STD26P3LLH6

晶体管类型:1 P-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:4 g

供应商STD26P3LLH6
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD26P3LLH6www.nowchip.com0755-27381274
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD26P3LLH6深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STD26P3LLH6深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司STD26P3LLH6深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市坤融电子有限公司STD26P3LLH6航都大厦10I0755-23990975
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STD26P3LLH6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI1+:¥5.96
10+:¥4.621+:¥4.75
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STD26P3LLH6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI1+:¥5.96
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STD26P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 12A DPAK$1.08000
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STD26P3LLH6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI1+:¥5.96
10+:¥4.621+:¥4.75
10+:¥3.71
100+:¥3.55
500+:¥3.55
1000+:¥3.55
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STD26P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI1:¥8.3733
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STD26P3LLH6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI1+:¥5.96
10+:¥4.621+:¥4.75
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25000+:¥3.07
50000+:¥3.022500+:¥3.232500+:¥2.881+:¥420.991+:¥3.12