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STD2NK100Z /MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH
STD2NK100Z的规格信息
STD2NK100Z的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:1.85 A

Rds On-漏源导通电阻:8.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:70 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

系列:STD2NK100Z

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.4 S

下降时间:32.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41.5 ns

典型接通延迟时间:7.2 ns

单位重量:4 g

供应商STD2NK100Z
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深圳市威雅利发展有限公司STD2NK100Z华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD2NK100Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STD2NK100Zwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市振钰科技有限公司STD2NK100Z深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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深圳市辉华拓展电子有限公司STD2NK100Z深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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STD2NK100Z连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.85A(Tc) 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 900mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO448.51 Kbytes共16页STD2NK100Z的PDF下载地址
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STD2NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH2500+:¥6.72
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STD2NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH2500+:¥6.72
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STD2NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK$2.22000
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Mouser 贸泽电子
STD2NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.1417
2,500:¥7.1077
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Verical
STD2NK100ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH2500+:¥6.72
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10+:¥9.94
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立创商城
STD2NK100ZST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.85A(Tc) 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 900mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.71
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